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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H563238D-TLB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Low Noise Precision Rail-To-Rail Output Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | K4H563238D-TLB0 |
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- 36 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
Current State
CS
RAS CAS
WE
Address
Command
Action
PRECHARG-
ING
(DURING tRP)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
NOP*4(Idle after
t
RP
)
ILLEGAL
L
L
L
H
X
Refresh
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
ROW
ACTIVATING
(FROM ROW
ACTIVE TO
tRCD)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A
10
READ/WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
WRITE
RECOVERING
(DURING tWR
OR tCDLR)
L
H
H
L
X
Burst Stop
ILLEGAL*2
L
H
L
H
BA, CA, A
10
READ
ILLEGAL*2
L
H
L
L
BA, CA, A
10
WRITE
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
Active
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A
10
PRE/PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
Refresh
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code, Mode-Add
MRS
ILLEGAL
Table 9-3. Functional truth table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H563238E-TCA0 | Low Noise Precision Rail-To-Rail Output Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
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| K4H563238E-TLA0 | Low Noise Precision Rail-To-Rail Output Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 |
| K4H563238E-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4H563238E-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H563238E-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H563238E-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H563238E-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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