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參數(shù)資料
| 型號： | K4H560838E-GCC4 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 26.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 21 SOT-363 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片的DDR 400內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 11/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | K4H560838E-GCC4 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Rev. 1.1 August. 2003
DDR SDRAM I
DD
spec table
(V
DD
=2.7V, T = 10
°
C)
Symbol
32Mx8
Unit
Notes
- CC(DDR400@CL=3)
105
130
4
30
25
55
75
185
220
200
3
1.5
350
- C4(DDR400@CL=3)
100
130
4
30
25
55
75
185
220
200
3
1.5
350
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
IDD6
Normal
Low power
IDD7A
Optional
Symbol
16Mx16
Unit
Notes
- CC(DDR400@CL=3)
110
150
4
30
25
55
75
220
250
200
3
1.5
380
- C4(DDR400@CL=3)
105
145
4
30
25
55
75
220
250
200
3
1.5
380
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
IDD6
Normal
Low power
IDD7A
Optional
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560838E-GCCC | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 29.77Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 23 SOT-363 3K/REEL |
| K4H560838E-GLA2 | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 32.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 27 SOT-363 3K/REEL |
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| K4J55323QF-GC14 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H560838E-GCCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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| K4H560838E-GLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
| K4H560838E-GLB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
| K4H560838E-NC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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