參數(shù)資料
型號： K4H560838E-GCA2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 19.7Vz 10mA-Izt 0.0251 0.05uA-Ir 15 SOT-363 3K/REEL
中文描述： 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8）
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大小： 171K
代理商： K4H560838E-GCA2
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
256Mb F-die Revision History
Rev. 1.1 August. 2003
Revison 1.0 (June. 2003)
1. First release
Revison 1.1 (August. 2003)
1. Added x8 org (K4H560838F)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H560838E-GCB0 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 22.08Vz 5mA-Izt 0.02514 0.05uA-Ir 17 SOT-363 3K/REEL
K4H560838E-GCB3 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 23.72Vz 5mA-Izt 0.02509 0.05uA-Ir 19 SOT-363 3K/REEL
K4H560838E-GCC4 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 26.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 21 SOT-363 3K/REEL
K4H560838E-GCCC DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 29.77Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 23 SOT-363 3K/REEL
K4H560838E-GLA2 DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 32.97Vz 5mA-Izt 0.02503 0.05uA-Ir 27 SOT-363 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H560838E-GCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560838E-GCB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560838E-GCC4 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560838E-GCCC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560838E-GLA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
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