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參數(shù)資料
| 型號： | K4H280438D-TCB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 298K |
| 代理商： | K4H280438D-TCB0 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 128Mb F-die (x4, x8)
Rev. 1.1 May. 2004
128Mb Package Pinout
Row & Column address configuration
V
DD
1
66Pin TSOP
II
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
DQ
0
2
V
DDQ
3
NC
4
DQ
1
5
V
SSQ
6
NC
7
DQ
2
8
V
DDQ
9
NC
10
DQ
3
11
V
SSQ
12
BA
0
20
CS
19
RAS
18
CAS
17
WE
16
NC
15
V
DDQ
14
NC
13
V
DD
27
A
3
26
A
2
25
A
1
24
A
0
23
AP/A
10
22
BA
1
21
V
SS
54
DQ
7
53
V
SSQ
52
NC
51
DQ
6
50
V
DDQ
49
NC
48
DQ
5
47
V
SSQ
46
NC
45
DQ
4
44
V
DDQ
43
A
11
35
36
CKE
37
CK
38
DM
39
V
REF
40
V
SSQ
41
NC
42
V
SS
55
A
4
56
A
5
57
A
6
58
A
7
59
A
8
60
A
9
34
33
32
31
30
29
28
61
62
63
64
65
66
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
NC
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
A
11
CKE
CK
DM
V
REF
V
SSQ
NC
V
SS
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
NC
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
WE
NC
V
DDQ
NC
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
AP/A
10
BA
1
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
Organization
Row Address
Column Address
32Mx4
A0~A11
A0-A9, A11
16Mx8
A0~A11
A0-A9
Pin Description
16Mx8
32Mx4
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H280438D-TLA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438D-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438D-TLB0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438E-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438E-TCA2 | 128Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H280438D-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438D-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438D-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438E-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H280438E-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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