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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H1G0838M-UCA2 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模與鉛DDR SDRAM的規(guī)格66 TSOP-II免費(fèi)（符合RoHS） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/53頁(yè) |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | K4H1G0838M-UCA2 |
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- 10 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
V
DD
1
66 PIN TSOP(II)
(400mil x 875mil)
(0.65 mm PIN PITCH)
DQ
0
2
V
DDQ
3
NC
4
DQ
1
5
V
SSQ
6
NC
7
DQ
2
8
V
DDQ
9
NC
10
DQ
3
11
V
SSQ
12
BA
0
20
CS
19
RAS
18
CAS
17
WE
16
NC
15
V
DDQ
14
NC
13
V
DD
27
A
3
26
A
2
25
A
1
24
A
0
23
AP/A
10
22
BA
1
21
V
SS
54
DQ
7
53
V
SSQ
52
NC
51
DQ
6
50
V
DDQ
49
NC
48
DQ
5
47
V
SSQ
46
NC
45
DQ
4
44
V
DDQ
43
A
11
35
36
CKE
37
CK
38
DM
39
V
REF
40
V
SSQ
41
NC
42
V
SS
55
A
4
56
A
5
57
A
6
58
A
7
59
A
8
60
A
9
34
33
32
31
30
29
28
61
62
63
64
65
66
NC
NC
NC
QFC/NC
NC
V
DD
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
NC
32Mb x 4
16Mb x 8
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
A
11
CKE
CK
DM
V
REF
V
SSQ
NC
V
SS
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
NC
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
WE
NC
V
DDQ
NC
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
AP/A
10
BA
1
NC
NC
NC
QFC/NC
NC
V
DD
Bank Address
BA0-BA1
Row Address
A0-A11
Auto Precharge
A10
MS-024FC
Organization
Column Address
32Mx4
A0-A9, A11
16Mx8
A0-A9
8Mx16
A0-A8
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
2.1 Package Pinout
FIgure 1. 128Mb package Pinout
Table 2. Column address configuration
1. Package Pinout & Dimension
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
WE
LDM
V
DDQ
DQ
7
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
AP/A
10
BA
1
NC
LDQS
NC
QFC/NC
NC
V
DD
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
A
11
CKE
CK
UDM
V
REF
V
SSQ
DQ
8
V
SS
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
UDQS
NC
V
SS
CK
NC
NC
8Mb x 16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0838M-UCB0 | RESISTOR, 1K, 1%, SMT 0603 |
| K4H1G0838M-UCB3 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULA2 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULB0 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULB3 | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H1G0838M-UCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-UCB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H1G0838M-ULB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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