- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374265 > K4H1G0438M-ULB3 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4H1G0438M-ULB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| 中文描述： | 1Gb的的M -模與鉛DDR SDRAM的規(guī)格66 TSOP-II免費（符合RoHS） |
| 文件頁數(shù)： | 24/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | K4H1G0438M-ULB3 |
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REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
3.3.6 Write Interrupted by a Write
A Burst Write can be interrupted before completion of the burst by a new Write command, with the only restric-
tion that the interval that separates the commands must be at least one clock cycle. When the previous burst
is interrupted, the remaining addresses are overridden by the new address and data will be written into the
device until the programmed burst length is satisfied.
Command
< Burst Length=4 >
NOP
WRITE A
WRITE b
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQS
DQ
′
s
Din A
0
Din A
1
Din B
0
Din B
1
Din B
2
Din B
3
1t
CK
2
0
1
5
3
4
8
6
7
CK
CK
Figure 14. Write interrupted by a write timing
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H1G0838D-TLA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838D-TLB0 | RES, CHIP 1K OHM |
| K4H1G0838E-TCA0 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838E-TCA2 | 128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0838E-TCB0 | 128Mb DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H1G0638C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0638C-UC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0638C-UC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0738C-UC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H1G0738C-UC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 1Gb C-die DDR SDRAM Specification |
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