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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H1G0438A-TCA0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER SINGLE 150mW 5.1Vz 0.05mA-Izt 0.05 5uA-Ir 3 SOD-523 3K/REEL |
| 中文描述： | 128MB DDR SDRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/53頁(yè) |
| 文件大小： | 669K |
| 代理商： | K4H1G0438A-TCA0 |
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- 50 -
REV. 1.0 November. 2. 2000
128Mb DDR SDRAM
Temperature (Tambient)
Typical 25
°
C
Minimum 70
°
Maximum 0
°
C
Vdd/Vddq
Typical
2.5V
Minimum 2.3V
Maximum 2.7V
The above characteristics are specified under best, worst and normal process variation/conditions
Pulldown Current (mA)
pullup Current (mA)
Voltage
(V)
Typical
Low
Typical
High
Minimum
Maximum
Typical
Low
Typical
High
Minimum
Maximum
0.1
3.4
3.8
2.6
5.0
-3.5
-4.3
-2.6
-5.0
0.2
6.9
7.6
5.2
9.9
-6.9
-8.2
-5.2
-9.9
0.3
10.3
11.4
7.8
14.6
-10.3
-12.0
-7.8
-14.6
0.4
13.6
15.1
10.4
19.2
-13.6
-15.7
-10.4
-19.2
0.5
16.9
18.7
13.0
23.6
-16.9
-19.3
-13.0
-23.6
0.6
19.6
22.1
15.7
28.0
-19.4
-22.9
-15.7
-28.0
0.7
22.3
25.0
18.2
32.2
-21.5
-26.5
-18.2
-32.2
0.8
24.7
28.2
20.8
35.8
-23.3
-30.1
-20.4
-35.8
0.9
26.9
31.3
22.4
39.5
-24.8
-33.6
-21.6
-39.5
1.0
29.0
34.1
24.1
43.2
-26.0
-37.1
-21.9
-43.2
1.1
30.6
36.9
25.4
46.7
-27.1
-40.3
-22.1
-46.7
1.2
31.8
39.5
26.2
50.0
-27.8
-43.1
-22.2
-50.0
1.3
32.8
42.0
26.6
53.1
-28.3
-45.8
-22.3
-53.1
1.4
33.5
44.4
26.8
56.1
-28.6
-48.4
-22.4
-56.1
1.5
34.0
46.6
27.0
58.7
-28.7
-50.7
-22.6
-58.7
1.6
34.3
48.6
27.2
61.4
-28.9
-52.9
-22.7
-61.4
1.7
34.5
50.5
27.4
63.5
-28.9
-55.0
-22.7
-63.5
1.8
34.8
52.2
27.7
65.6
-29.0
-56.8
-22.8
-65.6
1.9
35.1
53.9
27.8
67.7
-29.2
-58.7
-22.9
-67.7
2.0
35.4
55.0
28.0
69.8
-29.2
-60.0
-22.9
-69.8
2.1
35.6
56.1
28.1
71.6
-29.3
-61.2
-23.0
-71.6
2.2
35.8
57.1
28.2
73.3
-29.5
-62.4
-23.0
-73.3
2.3
36.1
57.7
28.3
74.9
-29.5
-63.1
-23.1
-74.9
2.4
36.3
58.2
28.3
76.4
-29.6
-63.8
-23.2
-76.4
2.5
36.5
58.7
28.4
77.7
-29.7
-64.4
-23.2
-77.7
2.6
36.7
59.2
28.5
78.8
-29.8
-65.1
-23.3
-78.8
2.7
36.8
59.6
28.6
79.7
-29.9
-65.8
-23.3
-79.7
Table 18. Pull down and pull up current values
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H640838A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 5.6Vz 0.05mA-Izt 0.05 2uA-Ir 4 SOD-123 3K/REEL |
| K4H280838A-TCA0 | DIODE ZENER SINGLE 200mW 5.6Vz 0.05mA-Izt 0.05 2uA-Ir 4 SOD-323 3K/REEL |
| K4H513238M-TCA0 | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 50V 30A-ifsm 0.98V-vf 25ns 5uA-ir SMA 5K/REEL-13 |
| K4H1G3238M-TCA0 | DIODE, FAST RECOVERY RECTIFIER, 1A |
| K4H640438E-TCA0 | PC ENCLOSURE - GRAY COVER RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H1G0438A-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0438A-TCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0438A-TLA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0438A-TLA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H1G0438A-TLB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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