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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612C-TL60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 26/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | K4E641612C-TL60 |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
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W
V
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V
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OE
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-
COLUMN
ADDRESS
ROW
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t
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RP
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HYPER PAGE MODE LOWER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
= OPEN
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LCAS
V
IH
-
V
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-
V
IH
-
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-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
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-
DQ8 ~ DQ15
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RHCP
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RAD
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t
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t
CAH
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VALID
DATA-IN
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ó
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WP
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DATA-IN
VALID
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DH
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RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E641612D | CMOS DRAM |
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS DRAM |
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| K4E660411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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