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參數(shù)資料
| 型號： | K4C560838C-TCD3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mb Network-DRAM |
| 中文描述： | 256Mb的網(wǎng)絡內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 880K |
| 代理商： | K4C560838C-TCD3 |
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K4C5608/1638C 256Mb Network-DRAM
- 25 -
REV. 0.7 Aug. 2003
Q0 Q1
Q0 Q1
RDA
LAL
DESL
RDA
LAL
DESL
RDA
LAL
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2 Q3
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
I
RC
= 5 cycles
I
RC
= 5 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
CL = 3
CL = 3
Hi-Z
Hi-Z
CL = 3
CL = 3
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
CK
CK
Command
DQS
(Output)
BL = 2
DQ
(Output)
DQS
(Output)
BL = 4
DQ
(Output)
Q0 Q1
Q0 Q1
RDA
LAL
DESL
RDA
LAL
DESL
RDA
LAL
Q0 Q1 Q2 Q3
Q0 Q1 Q2
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
I
RC
= 5 cycles
I
RC
= 5 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
I
RCD
= 1 cycle
I
RAS
= 4 cycles
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
CL = 4
CL = 4
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
CK
CK
Command
DQS
(Output)
BL = 2
DQ
(Output)
DQS
(Output)
BL = 4
DQ
(Output)
Timing Diagrams
Single Bank Read Timing (CL = 3)
CL = 4
CL = 4
Single Bank Read Timing (CL = 4)
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PDF描述 |
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