參數(shù)資料
型號： K1050E70
英文描述： silicon bilateral voltage triggered switch
中文描述： 硅雙邊電壓觸發(fā)開關(guān)
文件頁數(shù)： 84/224頁
文件大?。?/td> 2697K
代理商： K1050E70
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Diac
Data Sheets
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E8 - 2
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
General Notes
Lead solder temperature is +230 °C for 10-second maximum;
≥
1/16" (1.59 mm) from case.
See “Package Dimensions” section of this catalog.
Electrical Specification Notes
(1)
Breakover voltage symmetry as close as 1 V is available from the
factory on these products.
(2)
(3)
See Figure E8.4 and Figure E8.5 for test circuit and waveforms.
Typical switching time is 900 nano-seconds measured at I
PK
(Figure E8.4) across a 20
resistor (Figure E8.5). Switching time
is defined as rise time of I
PK
between the 10% to 90% points.
See V-I Characteristics.
(4)
Bilateral Trigger DIAC Specifications
Maximum Ratings, Absolute-Maximum Values
– Maximum Trigger Firing Capacitance: 0.1 μF
– Device dissipation (at T
A
= -40 °C to +40 °C):
250 mW for DO-35 and 300 mW for DO-214
– Derate above +40 °C:
3.6 mW/°C for DO-35 and 3 mW/°C for DO-214
Temperature Ranges
Storage: -40 °C to +125 °C
Operating (Junction): -40 °C to +125 °C
V-I Characteristics
* Mounted on 1 cm
2
copper foil surface; two-ounce copper foil
Electrical Characteristics T
C
= 25°C
Part No.
V
BO
V
BO
V
BB
I
BO
I
TRM
DO-35
DO-214
Breakover Voltage
(Forward and
Reverse)
Volts
Breakover Voltage
Symmetry
V
=
[ | +V
BO
| - | - V
BO
| ]
Volts
MAX
3 (1)
2 (1)
2 (1)
2 (1)
3 (1)
2 (1)
2 (1)
3 (1)
Dynamic
Breakback
Voltage
(3)
|
V
±
|
Volts
MIN
10 (2)
Peak Breakover
Current
at
Breakover
Voltage
μAmps
MAX
25
25
25
25
25
25
25
25
Peak Pulse
Current
for 10 μs
120 PPS
T
A
≤
40 °C
Amps
MAX
2
2
2
2
2
2
2
2
MIN
27
28
30
32
30
32
34
35
MAX
37
36
34
36
40
40
38
45
HT-32
ST-32
HT-32A / HT-5761
HT-32B / HT-5761A
HT-34B
HT-35
HT-36A / HT-5762
HT-36B
HT-40
7 at 10 mA (4)
7 at 10 mA (4)
10 (2)
10 (2)
7 at 10 mA (4)
10 (2)
10 (2)
ST-32B
ST-34B
ST-35
ST-36A
ST-36B
ST-40
HT and ST Series Thermal Resistance
Junction to Lead - R
θ
JL
: °C/W
Junction to Ambient [R
θ
JA
]: °C/W
(based on maximum lead temperature of
90 °C for DO-214 and 85 °C for DO-35 devices)
Y Package
DO-35
S Package
DO-214
100 [278] °C/W
65 °C/W *
10 mA
Breakover
Current
I
BO
-V
BO
Voltage
Current
Breakover
Voltage
V
BO
+V
BO
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K1050G silicon bilateral voltage triggered switch
K1050S Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Impedance Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 50V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk
K1050F70 Thyristor Product Catalog
K1050G70 Thyristor Product Catalog
K10N07FM Fully Autoprotected Power MOSFET(全自動保護功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K1050E70 制造商:Littelfuse 功能描述:SIDAC 113V TO-92
K1050E70AP 功能描述:SIDAC 105V 1A TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二端交流開關(guān)元件，硅對稱二端開關(guān)元件 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Obsolescence 14/Apr/2010 標準包裝:5,000 系列:- 電流 - 峰值輸出:900mA 電壓 - 擊穿:150 ~ 170V 電流 - 維持(Ih):100mA 電流 - 擊穿:200µA 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商設(shè)備封裝:軸向 包裝:帶卷 (TR)
K1050E70RP2 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 Sidac 105V TO92 RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
K1050F70 制造商:TECCOR 制造商全稱:TECCOR 功能描述:Thyristor Product Catalog
K1050G 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 105V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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