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參數資料
| 型號： | JS28F640J3C-125 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數： | 24/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | JS28F640J3C-125 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁
256-Mbit J3 (x8/x16)
24
Datasheet
0606_16
NOTES:
1. CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at the
first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
2. When reading the flash array a faster t
GLQV
(R16) applies. For non-array reads, R4 applies (i.e.: Status
Register reads, query reads, or device identifier reads).
NOTE:
CE
X
low is defined as the last edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CE
X
high is defined at
the first edge of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see
Table 13
).
Figure 10. 4-Word Page Mode Read Waveform
00
01
10
11
1
2
3
4
R10
R9
R15
R10
R5
R8
R7
R6
R4
R3
R1
R2
A[MAX:3] [A]
A[2:1] [A]
CEx [E]
OE# [G]
WE# [W]
D[15:0] [Q]
RP# [P]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JS28F640J3C-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| JS28F128J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| JS28F128J3A-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| JS28F256J3A-110 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| JS28F128J3A-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| JS28F640J3C-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| JS28F640J3D75 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray |
| JS28F640J3D-75 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx Embedded Flash Memory |
| JS28F640J3D75A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| JS28F640J3D75B | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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