參數資料
型號： JANTXV2N6800
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管）
文件頁數： 5/6頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： JANTXV2N6800
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6800, JANTXV2N6800 Device
Fig. 13b — Basic Gate Charge Waveform
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PDF描述
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參數描述
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JANTXV2N6802 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin TO-205AF 制造商:International Rectifier 功能描述:100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-CH, ENHANCEMENT MODE MOSFET P - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk
JANTXV2N6802U 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 2.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk
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JANTXV2N6806 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 6.5A 2PIN TO-3 - Bulk
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