參數(shù)資料
型號(hào)： JANTXV2N6796
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 124K
代理商： JANTXV2N6796
JANTX2N6796, JANTXV2N6796 Device
Fig. 10b — Switching Time Waveforms
Fig. 10a — Switching Time Test Circuit
Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area
Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward
Voltage
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PDF描述
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JANTXV2N6797 制造商:IR 功能描述:_
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JANTXV2N6798U 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 18-Pin LLCC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5.5A 18PIN LCC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:200V SINGLE N-CHANNEL HI-REL MOSFET 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk
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