參數(shù)資料
型號： JANTXV2N6794
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 116K
代理商： JANTXV2N6794
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6794, JANTXV2N6794 Device
Fig. 13b — Basic Gate Charge Waveform
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PDF描述
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