參數(shù)資料
型號(hào)： JANTXV2N6790
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： JANTXV2N6790
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6790, JANTXV2N6790 Device
Fig. 13b — Basic Gate Charge Waveform
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PDF描述
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參數(shù)描述
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JANTXV2N6792 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 2A 3PIN TO-39 - Bulk
JANTXV2N6792U 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 1.8A 18LLCC - Bulk
JANTXV2N6794 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 1.5A 3PIN TO-39 - Bulk
JANTXV2N6794U 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 1.4A 18PIN LCC - Bulk
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