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參數(shù)資料
| 型號： | JANTXV2N6768 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | JANTXV2N6768 |
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6768, JANTXV2N6768 Device
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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