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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANTXV2N6756 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | JANTXV2N6756 |
JANTX2N6756, JANTXV2N6756 Device
Fig. 10b — Switching Time Waveforms
Fig. 10a — Switching Time Test Circuit
Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area
Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward
Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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