參數資料
型號： JANTX2N6766
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管）
文件頁數： 5/6頁
文件大小： 129K
代理商： JANTX2N6766
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
JANTX2N6766, JANTXV2N6766 Device
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PDF描述
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參數描述
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JANTX2N6770 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:International Rectifier 功能描述:100V THRU 500V, UP TO 38A, N-CH, ENHANCEMENT MODE MOSFET PWR - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET (NFET) - Bulk
JANTX2N6770T1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-254 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET - Bulk
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