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參數(shù)資料
| 型號： | JANTX2N6760 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | JANTX2N6760 |
Fig. 1 — Typical Output Characteristics
T
C
= 25°C
Fig. 2 — Typical Output Characteristics
T
C
= 150°C
Fig. 3 — Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 — Normalized On-Resistance Vs.Temperature
Fig. 5 — Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
Voltage
Fig. 6 — Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source
Voltage
JANTX2N6760, JANTXV2N6760 Device
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| JANTX2N6766T1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N6766T1JANTX - Bulk |
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