參數(shù)資料
型號(hào)： JANSR2N7380
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
中文描述： 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 97K
代理商： JANSR2N7380
IRHY7130CM, IRHY8130CM, JANSR-, JANSH-, 2N7380 Devices
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-VDD
DRIVER
A
15 V
20V
12
Pre-Radiation
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
6.4A
9.1A
14A
TOP
BOTTOM
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PDF描述
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