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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANSH2N7381 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | JANSH2N7381 |
IRHY7230CM, IRHY8230CM, JANSR-, JANSH-, 2N7381 Devices
Pre-Radiation
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
I
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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