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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANSF2N7424U |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | JANSF2N7424U |
IRHNA9064, IRHNA93064 Devices
www.irf.com
7
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-21A
-30A
-48A
TOP
BOTTOM
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Pre-Irradiation
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSR2N7424U | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSF2N7425 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSR2N7425 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSF2N7467U2 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
| JANSG2N7467U2 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANSF2N7425 | 制造商:International Rectifier 功能描述:RAD- HARDENED 100V, P CHANNEL POWER MOSFET - Rail/Tube |
| JANSF2N7425U | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
| JANSF2N7426 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
| JANSF2N7426U | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
| JANSF2N7428 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
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