參數(shù)資料
型號： JAN1N5314UR-1
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： CURRENT REGULATOR DIODES
中文描述： 4.7 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-213AB
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： JAN1N5314UR-1
142
CDLL5283 thru CDLL5314
0.2
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0.4
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0.7
0.8
0.9 1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
lp. NOMINAL PINCH-OFF CURRENT (mA)
FIGURE 2 TEMPERATURE COEFFICIENT
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
2.0
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5.0
lp.NOMINAL PINCH-OFF CURRENT (mA)
FIGURE 4 CURRENT REGULATION FACTOR
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
lp. NOMINAL PINCH-OFF CURRENT (mA)
FIGURE 3 TEMPERATURE COEFFICIENT
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
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1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
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0.1
0
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-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
T
T
l
RANGE
TYPICAL
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PDF描述
JANTX1N5314UR-1 CURRENT REGULATOR DIODES
JANS1N5314UR-1 CURRENT REGULATOR DIODES
JAN1N5291UR-1 IGBT Module; Continuous Collector Current, Ic:200A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4.2V; Power Dissipation, Pd:1500W; Collector Current:200A; Collector Emitter Voltage, Vceo:1.4kV; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
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