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參數(shù)資料
| 型號： | JAN1N4982DUS |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 100 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 607K |
| 代理商： | JAN1N4982DUS |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
5 WATT GLASS ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
1N4954 thru 1N4996, 1N5968 thru 1N5969, and
1N6632 thru 1N6637
W
M
.
C
1
1
1
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
V
Z
I
Z
, I
ZT
, I
ZK
Definition
Zener Voltage: The zener voltage the device will exhibit at a specified current (I
Z
) in its breakdown region.
Regulator Current: The dc regulator current (I
Z
), at a specified test point (I
ZT
), or near breakdown knee (I
ZK
).
Dynamic Impedance: The small signal impedance of the diode when biased to operate in its breakdown region
at a specified rms current modulation (typically 10% of I
ZT
or I
ZK
) and superimposed on I
ZT
or I
ZK
respectively.
Maximum Forward Voltage: The maximum forward voltage the device will exhibit at a specified current.
Maximum Reverse Current: The maximum reverse (leakage) current that will flow at the specified voltage and
temperature.
Maximum Regulator (Zener) Current: The maximum rated dc current for the specified power rating.
Maximum Zener Surge Current: The nonrepetitive peak value of zener surge current at a specified wave form.
Z
ZT
or Z
ZK
V
F
I
R
I
ZM
I
ZSM
GRAPHS
FIGURE 1
FIGURE 2
SURGE POWER vs.
SURGE DURATION
POWER DISSIPATION vs. LEAD
TEMPERATURE DERATING CURVE
FIGURE 3
TYPICAL ZENER IMPEDANCE vs.
ZENER CURRENT
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2005
2-4-2005 REV C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N4983 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N4983C | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N4983D | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N4983DUS | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N4984 | PNP General Purpose Amplifier; Package: SuperSOT; No of Pins: 3; Container: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN1N4982US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk |
| JAN1N4983 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE (ZEN) - Bulk |
| JAN1N4983C | 功能描述:Zener Diode 110V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N4983CUS | 功能描述:Zener Diode 110V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N4983D | 功能描述:Zener Diode 110V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:110V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 83.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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