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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JAN1N4958DUS |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 10 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | JAN1N4958DUS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JAN1N4958US | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| JAN1N4959 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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| JAN1N4954CUS | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JAN1N4958US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk |
| JAN1N4959 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER SGL 11V 5% 5W 2PIN E - Bulk |
| JAN1N4959C | 功能描述:Zener Diode 11V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N4959CUS | 功能描述:Zener Diode 11V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| JAN1N4959D | 功能描述:Zener Diode 11V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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