參數(shù)資料
型號(hào)： JAN1N4130URTR
廠商： Microsemi Corporation
英文描述： Triple 3-input NOR gate - Description: Triple 3-Input NOR Gate ; Logic switching levels: CMOS ; Number of pins: 16 ; Output drive capability: +/- 5.2 mA ; Power dissipation considerations: Low Power or Battery Applications ; Propagation delay: 8@5V ns; Voltage: 2.0-6.0 V
中文描述： 玻璃表面貼裝0.5瓦齊納基準(zhǔn)源
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 109K
代理商： JAN1N4130URTR
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
WEBSITE: http://www.microsemi.com
FAX (978) 689-0803
111
1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/435
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
LOW CURRENT OPERATION AT 250
μ
A
METALLURGICALLY BONDED
DOU-
1N4099UR-1
thru
1N4135UR-1
and
CDLL4099 thru CDLL4135
MAXIMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C
Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C
Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified.
MILLIMETERS INCHES
MIN
MAX
1.60
1.70
0.41
0.55
3.30
3.70
2.54 REF.
0.03 MIN.
DIM
D
F
G
G1
S
MIN
0.063 0.067
0.016 0.022
.130
.100 REF.
.001 MIN.
MAX
.146
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA
,
Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (
ROJEC):
100
°
C/W maximum at L = 0 inch
THERMAL IMPEDANCE: (
ZOJX): 35
°
C/W maximum
POLARITY:
Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
CDI
TYPE
NUMBER
NOMINAL
ZENER
VOLTAGE
VZ@ lZT
(Note 1)
VOLTS
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
ZENER
TEST
CURRENT
lZT
MAXIMUM
ZENER
IMPEDANCE
ZZT
(Note 2)
OHMS
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
250
250
300
300
400
500
700
700
800
1000
1200
1500
MAXIMUM REVERSE
LEAKAGE
CURRENT
lR@ VR
MAXIMUM
ZENER
CURRENT
lZM
μ
A
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
μ
A
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
VOLTS
5.17
5.70
6.24
6.61
6.92
7.60
8.44
9.12
9.87
10.65
11.40
12.15
12.92
13.67
14.44
15.20
16.72
18.25
19.00
20.46
21.28
22.80
25.08
27.38
29.65
32.65
35.75
38.76
42.60
45.60
47.10
51.68
57.00
62.32
66.12
69.16
76.00
mA
56
51
46
44
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
14
13
12
11
9.8
8.9
8.1
7.5
6.7
6.4
6.1
5.6
5.1
4.6
4.4
4.2
3.8
CDLL4099
CDLL4100
CDLL4101
CDLL4102
CDLL4103
CDLL4104
CDLL4105
CDLL4106
CDLL4107
CDLL4108
CDLL4109
CDLL4110
CDLL4111
CDLL4112
CDLL4113
CDLL4114
CDLL4115
CDLL4116
CDLL4117
CDLL4118
CDLL4119
CDLL4120
CDLL4121
CDLL4122
CDLL4123
CDLL4124
CDLL4125
CDLL4126
CDLL4127
CDLL4128
CDLL4129
CDLL4130
CDLL4131
CDLL4132
CDLL4133
CDLL4134
CDLL4135
NOTE 1
The CDI type numbers shown above have a Zener voltage tolerance of
+ 5% of the nominal Zener voltage. Nominal Zener voltage is measured
with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature
of 25°C + 3°C. A "C" suffix denotes a + 2% tolerance and a "D" suffix
denotes a + 1% tolerance.
NOTE 2
Zener impedance is derived by superimposing on lZT, A 60 Hz rms a.c.
current equal to 10% of lZT(25
μ
A a.c.).
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PDF描述
JAN1N4130URTR-1 Triple 3-input NOR gate - Description: Triple 3-Input NOR Gate ; Logic switching levels: CMOS ; Number of pins: 16 ; Output drive capability: +/- 5.2 mA ; Power dissipation considerations: Low Power or Battery Applications ; Propagation delay: 8@5V ns; Voltage: 2.0-6.0V
JAN1N4133 Dual unbuffered inverter
JAN1N4133C Dual unbuffered inverter
JAN1N4133CUR GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4133CUR-1 Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????)
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參數(shù)描述
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JAN1N4131C-1 功能描述:Zener Diode 75V ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:700 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 57V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JAN1N4131CUR-1 功能描述:Zener Diode 75V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:75V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:700 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 57V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JAN1N4131D-1 功能描述:Zener Diode 75V ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:700 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 57V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
JAN1N4131DUR-1 功能描述:Zener Diode 75V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:700 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10nA @ 57V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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