型號: | JAN1N3350B |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 200 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 130K |
代理商: | JAN1N3350B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
JANTXV1N4454UR-1 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
JAN1N4454UR-1 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
JANTX1N4454UR | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
JANTXV1N4500-1 | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
JANTX1N4500-1 | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
JAN1N3595 | 制造商:FJP 功能描述: |
JAN1N3595-1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 125V 0.15A 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 0.2A 2PIN DO-35 - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 125V 0.15A 2-Pin DO-35 |
JAN1N3595A-1 | 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/241 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
JAN1N3595AUR-1 | 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/241 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |
JAN1N3595AUS | 功能描述:Diode Standard 125V 150mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/241 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):125V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):920mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 |