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JAN1N6324C

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  • JAN1N6324C
    JAN1N6324C

    JAN1N6324C

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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  • 功能描述
  • Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用，MIL-PRF-19500/533
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
  • 10V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 6 歐姆
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 8V
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.4V @ 1A
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JAN1N6324C 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6324 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6323US 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6323 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6322US 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6322 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6328C JAN1N6328US JAN1N6329 JAN1N6329US JAN1N6330 JAN1N6330US JAN1N6331 JAN1N6331US JAN1N6332 JAN1N6332US JAN1N6333 JAN1N6333US JAN1N6334 JAN1N6334US JAN1N6335 JAN1N6335US JAN1N6336 JAN1N6336US
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