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JAN1N6339US

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  • JAN1N6339US
    JAN1N6339US

    JAN1N6339US

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話(huà)：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -

  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N6339US
    JAN1N6339US

    JAN1N6339US

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話(huà)：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 43V 500M

  • 22+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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  • 制造商
  • Aeroflex / Metelics
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 43V 5% 500MW 2PIN D-5D - Bulk
JAN1N6339US 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6339 功能描述:Zener Diode 43V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:65 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6338 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:55 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 30V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6337US 功能描述:Zener Diode 36V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6336US 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6336 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N6344US JAN1N6345 JAN1N6345US JAN1N6346 JAN1N6346US JAN1N6347 JAN1N6347US JAN1N6348 JAN1N6348US JAN1N6349 JAN1N6349US JAN1N6350 JAN1N6350US JAN1N6351 JAN1N6351US JAN1N6391 JAN1N6392 JAN1N645-1
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