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JAN1N485B

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  • JAN1N485B
    JAN1N485B

    JAN1N485B

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • JAN1N485B
    JAN1N485B

    JAN1N485B

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 37

  • F

  • N/A

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • JAN1N485B
    JAN1N485B

    JAN1N485B

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • OOO

  • 〓〓全新〓〓

  • ★最新批號★

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • JAN1N485B
    JAN1N485B

    JAN1N485B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

  • MICROSEMICORPORATION

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現貨??!

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JAN1N485B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 180V 0.2A 2-Pin DO-7
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 180V 0.2A 2PIN DO-7 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode Switching 180V 0.2A 2-Pin DO-7
JAN1N485B 技術參數
  • JAN1N4627UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4627DUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4627D-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N4627CUR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JAN1N4627C-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH) 標準包裝:1 JAN1N4954US JAN1N4955 JAN1N4955C JAN1N4955CUS JAN1N4955D JAN1N4955DUS JAN1N4955US JAN1N4956 JAN1N4956C JAN1N4956CUS JAN1N4956D JAN1N4956DUS JAN1N4956US JAN1N4957 JAN1N4957C JAN1N4957CUS JAN1N4957D JAN1N4957DUS
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