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JAN1N4957CUS

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  • JAN1N4957CUS
    JAN1N4957CUS

    JAN1N4957CUS

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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  • 功能描述
  • Zener Diode 9.1V 5W ±2% Surface Mount D-5B
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用，MIL-PRF-19500/356
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
  • 9.1V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 5W
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 2 歐姆
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 25μA @ 6.9V
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.5V @ 1A
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF，E
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5B
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JAN1N4957CUS 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4957C 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4957 功能描述:Zener Diode 9.1V 5W ±5% Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4956US 功能描述:Zener Diode 8.2V 5W ±5% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4956DUS 功能描述:Zener Diode 8.2V 5W ±1% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4956D 功能描述:Zener Diode 8.2V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4959 JAN1N4959C JAN1N4959CUS JAN1N4959D JAN1N4959DUS JAN1N4959US JAN1N4960 JAN1N4960CUS JAN1N4960D JAN1N4960DUS JAN1N4960US JAN1N4961 JAN1N4961C JAN1N4961CUS JAN1N4961D JAN1N4961DUS JAN1N4961US JAN1N4962
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