參數(shù)資料
型號： IXUC60N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM
中文描述： 60 A, 100 V, 0.0164 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： IXUC60N10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715 6,306,728B1
5,381,025
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
110
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 80 V, I
D
= 25 A
18
nC
94
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 40 A
I
D
= 90 A, R
G
= 4.7
85
ns
150
ns
70
ns
R
thJC
R
thCH
1
K/W
0.30
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
I
F
= 30 A, V
GS
= 0 V
Note 3
0.8
1.3
V
t
rr
I
F
= 75 A, di/dt = -200 A/
μ
s, V
DS
= 30 V
80
ns
Note: 1. MOSFET chip capability
2. Intrinsic diode capability
3. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
IXUC 60N10
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
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IXUN350N10 功能描述:MOSFET 350 Amps 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXUV170N075 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXUV170N075S 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V 0.0053 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXWW11-AL 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Silicon Chip Resistors
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