參數(shù)資料
型號： IXTT36N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 36 A, 500 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 142K
代理商： IXTT36N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
25
35
S
C
iss
C
oss
C
rss
4800
510
60
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
29
23
82
23
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 4
Ω
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
135
30
65
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.25
K/W
K/W
0.21
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
I
SM
V
SD
V
GS
= 0 V
36
A
Repetitive
100
A
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
Q
RM
I
F
= 25A, -di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100V
300
ns
μ
C
3.3
TO-268 Outline
TO-3P (IXTQ) Outline
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
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參數(shù)描述
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IXTT500N04T2 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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