| 型號: | IXTT1N100 | 
| 廠商: | IXYS CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | High Voltage MOSFET | 
| 中文描述: | 1.5 A, 1000 V, 11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA | 
| 封裝: | TO-268, 3 PIN | 
| 文件頁數: | 2/2頁 | 
| 文件大小: | 83K | 
| 代理商: | IXTT1N100 | 

| 相關PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| IXTH20N60 | MegaMOS FET | 
| IXTM20N60 | MegaMOS FET | 
| IXTH21N50 | MegaMOSFET | 
| IXTM21N50 | MegaMOSFET | 
| IXTM24N50 | MegaMOSFET | 
| 相關代理商/技術參數 | 參數描述 | 
|---|---|
| IXTT1N250HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV | 
| IXTT1N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 | 
| IXTT20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |