參數(shù)資料
型號： IXTT110N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 110 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 578K
代理商： IXTT110N10P
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
1
2
3
4
V
D S
- Volts
5
6
7
8
9
10
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
0.5
1
1.5
V
D S
- Volts
2
2.5
3
3.5
4
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
5V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 110A
I
D
= 55A
V
GS
= 10V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
External Lead Current Limit
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Drain Current
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10V
T
J
= 175
o
C
V
GS
= 15V
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PDF描述
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IXTT12N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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