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IXTS10P50	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-210AC
IXTS11N60	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-210AC
IXTS11P40	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-210AC
IXTH10N60	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247
IXTH10N90	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR

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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IXTT02N450HV	制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
IXTT100N25P	功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT10N100D	功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT10N100D2	功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTT10P50	功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

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IXTT02N450HV

制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

IXTT100N25P

功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTT10N100D

功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTT10N100D2

功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IXTT10P50

功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-210AC
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\|?650V五（巴西）直\| 10A條（?。﹟對(duì)210AC
文件頁(yè)數(shù)：	7/12頁(yè)
文件大小：	1098K
代理商：	IXTS10N65

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