參數(shù)資料
型號： IXTR200N10P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarTM HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 120 A, 100 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： IXTR200N10P
2005 IXYS All rights reserved
IXTR 200N10P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
0.5
1
1.5
2
V
D S
- Volts
2.5
3
3.5
4
4.5
5
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0.2
0.4
0.6
V
D S
- Volts
0.8
1
1.2
1.4
1.6
I
D
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Temperature
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 200A
I
D
= 100A
V
GS
= 10V
Fig. 5. R
DS(on)
Normalized to 0.5 I
D25
Value vs. Drain Current
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
50
100
150
200
250
300
350
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 25
∫
C
V
GS
= 10V
T
J
= 175
∫
C
V
GS
= 15V
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- Degrees Centigrade
I
D
External Lead Current limit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT11P50 A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):12; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:1; DNL +/-:0.5LSB; INL +/-:0.5LSB; Data Interface:Serial, Parallel; Package/Case:44-PLCC; Leaded Process Compatible:No
IXTT10P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT75N10 MegaMOS FET
IXTN58N50 High Current Power MOSFET
IXTN61N50 High Current Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTR20P50P 功能描述:MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR210P10T 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR30N25 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR32P60P 功能描述:MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*