參數(shù)資料
型號： IXTQ96N15P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
中文描述： 96 A, 150 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 586K
代理商： IXTQ96N15P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTQ 96N15P
IXTT 96N15P
Fig. 11. Capacitance
100
1000
10000
0
5
10
15
V
DS
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
Q
G
- nanoCoulombs
40
50
60
70
80
90 100 110
V
G
V
DS
= 75V
I
D
= 48A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
4
5
6
7
8
9
10
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 150oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
I
D
- Amperes
100
125
150
175
200
g
f
T
J
= -40oC
25oC
150oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
50
100
150
200
250
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 150oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forward-Bias
Safe Operating Area
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 175oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
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PDF描述
IXTT96N15P N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTU01N100D N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTY01N100D N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXWW11-AL Silicon Chip Resistors
IXWW13-AL Silicon Chip Resistors
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參數(shù)描述
IXTQ96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ96N25T 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTQ98N20T 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR120P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTR140P10T 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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