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參數(shù)資料
| 型號： | IXTQ36N30P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PolarHT Power MOSFET |
| 中文描述： | 36 A, 300 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | IXTQ36N30P |
2004 IXYS All rights reserved
IXTA 36N30P IXTP 36N30P
IXTQ 36N30P
Fig . 13. M axim u m T ran s ie n t T h e rm al Re s is tan ce
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10
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1000
Pulse W idth - milliseconds
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC75N10 | N-Channel Enhancement Mode |
| IXTQ110N10P | N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT110N10P | N-Channel Enhancement Mode |
| IXTQ23N60Q | Power MOSFETs Q-Class |
| IXTQ96N15P | N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTQ36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ36P15P | 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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