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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTQ110N10P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode |
| 中文描述： | 110 A, 100 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | IXTQ110N10P |
2004 IXYS All rights reserved
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT110N10P | N-Channel Enhancement Mode |
| IXTQ23N60Q | Power MOSFETs Q-Class |
| IXTQ96N15P | N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet |
| IXTT96N15P | N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet |
| IXTU01N100D | N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTQ120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTQ130N10TSN | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
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