參數(shù)資料
型號(hào)： IXTP01N100D
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage MOSFET
中文描述： 0.1 A, 1000 V, 110 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AD
封裝： TO-220AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 51K
代理商： IXTP01N100D
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTP 01N100D
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 50 V; I
D
= I
D25
Note 1
100
150
mS
C
iss
C
oss
C
rss
120
15
pF
pF
pF
V
GS
= -10 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
3
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
8
6
ns
ns
ns
ns
V
gs
V
ds
R
G
= 0 V, to
-10 V, I
D
= 50 mA
= 100 V
= 30
,
(External)
30
51
R
thJC
5
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
SD
V
GS
= -10 V
,
I
F
=
I
D25
Note 1
1.0
1.5
V
t
rr
I
F
= 0.75 A, -di/dt = 10 A/
μ
s,
V
DS
= 25 V, V
GS
= -10V
1.5
μ
s
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Bottom Side
TO-220 AD Dimensions
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP05N100 High Voltage MOSFET
IXTP10N60PM PolarHV Power MOSFET
IXTP2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTY2N60P PolarHV Power MOSFET
IXTQ140N10P PolarHT⑩ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTP02N120P 功能描述:MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP02N50D 功能描述:MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100 功能描述:MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100M 功能描述:MOSFET 0.5 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP05N100P 功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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