參數(shù)資料
型號： IXTN61N50
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Current Power MOSFET
中文描述： 61 A, 500 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 53K
代理商： IXTN61N50
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTN 58N50
IXTN 61N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
20
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
11000
1550
225
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
60
100
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 50 A
R
G
= 1
(External)
Q
g
Q
gs
Q
gd
420
55
160
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D2
R
thJC
R
thCK
0.20 K/W
0.05
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Symbol
Test Conditions
I
S
I
SM
V
GS
= 0 V
Repetitive; pulse width limited by T
JM
61
244
A
A
V
SD
I
F
= I
S,
V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 50A
,
di/dt = -100 A/μs, V
R
= 100 V
800
ns
miniBLOC, SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTT82N25P A/D Converter (A-D) IC; Resolution (Bits):16; ADC Sample Rate:100kSPS; Input Channels Per ADC:2; INL +/-:0.002LSB; Data Interface:Serial; Package/Case:28-PLCC; IC Generic Number:5101; Interface Type:Serial
IXTK82N25P PolarHT Power MOSFET
IXTQ82N25P PolarHT Power MOSFET
IXTT8P50 Standard Power MOSFET - P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTU01N100 High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTN62N50L 功能描述:MOSFET 62 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN79N20 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN90P20P 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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