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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTM21N50 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | MegaMOSFET |
| 中文描述： | 21 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 封裝： | TO-204AE, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | IXTM21N50 |
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
DS
- Volts
1
10
100
I
D
0.1
1
10
100
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100 125 150 175 200
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- Volt
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.02
D=0.01
D=0.5
D=0.1
D=0.05
Single pulse
C
rss
C
oss
V
DS
= 250V
I
D
= 12.5A
I
G
= 10mA
500
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
Limited by R
DS(on)
C
iss
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
f = 1 Mhz
V
DS
= 25V
IXTH 21N50
IXTM 21N50
IXTH 24N50
IXTM 24N50
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Capacitance Curves
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH24P20 | Standard Power MOSFET |
| IXTH24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH30N45 | N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓450V,導(dǎo)通電阻0.16Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET) |
| IXTH30N50 | MegaMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM21N55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM22P15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-3 |
| IXTM22P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-3 |
| IXTM24N45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-3 |
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