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參數(shù)資料
| 型號： | IXTM20N60 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | MegaMOS FET |
| 中文描述： | 20 A, 600 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 封裝： | TO-204AE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | IXTM20N60 |
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 20N60
IXTM 20N60
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
15N60
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
D
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
1.30
1.35
1.40
V
GS
= 10V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
10
20
30
40
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
10
20
30
40
V
GS(th)
20N60
I
D
= 10A
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
BV
DSS
6V
5V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH21N50 | MegaMOSFET |
| IXTM21N50 | MegaMOSFET |
| IXTM24N50 | MegaMOSFET |
| IXTH24P20 | Standard Power MOSFET |
| IXTH24N50 | MegaMOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTM20P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N50 | 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTM21N55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
| IXTM21N60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-3 |
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