參數(shù)資料
型號(hào): IXTL2X180N10T
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
系列: TrenchMV™
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.4 毫歐 @ 50A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: ISOPLUSi5-Pak?
供應(yīng)商設(shè)備封裝: ISOPLUSi5-Pak?
包裝: 管件