參數(shù)資料
型號(hào)： IXTK62N25
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Current MegaMOSFET
中文描述： 62 A, 250 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 85K
代理商： IXTK62N25
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic values
Min.
Typ. Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
35
50
S
C
iss
C
oss
C
rss
6600
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1125
pF
270
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
30
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External)
25
ns
115
ns
15
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
55
nC
85
nC
R
thJC
R
thCK
0.30K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ. Max.
I
S
V
GS
= 0V
62
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
248
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 30A, -di/dt = 100 A/μs, V
R
= 100V
360
ns
Q
rr
6
μ
C
IXTK 62N25
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTM12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N50 IC, I2S-SPDIF CONVERTER
IXTH12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N50 IC ARM720T MCU 90MHZ 204-TFBGA
IXTM12N100 MegaMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK74N20 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET
IXTK75N30 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK80N25 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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