參數(shù)資料
型號(hào)： IXTK250N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Current MegaMOSFET
中文描述： 250 A, 100 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXTK250N10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343
Symbol
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic values
Min.
Typ. Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 90 A, pulse test
75
110
S
C
iss
C
oss
C
rss
7800
3200
1300
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
35
40
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 90 A
R
G
= 1.0
(External)
120
55
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
390
60
180
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.17 K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ. Max.
I
S
V
GS
= 0V
250
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
1000
A
V
SD
I
= 90 A, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle d
≤
2 %
1.2
V
t
rr
I
F
= 30A, -di/dt = 100 A/μs, V
R
= 50 V
150
ns
Q
rr
2
μ
C
IXTK 250N10
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTK33N50 High Current MegaMOSFET
IXTK62N25 High Current MegaMOSFET
IXTM12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N50 IC, I2S-SPDIF CONVERTER
IXTH12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTK32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK33N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA
IXTK33N50 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK40P50P 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK46N50L 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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