參數(shù)資料
型號： IXTK21N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： High Voltage MegaMOSTMFETs
中文描述： 21 A, 1000 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 137K
代理商： IXTK21N100
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTK 21N100
IXTN 21N100
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
Fig.10 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Pulse Width - Seconds
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
J
0.001
0.01
0.1
1
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
C
rss
C
oss
Gate Charge - nCoulombs
0
50
100
150
200
250
300
V
G
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
= 500V
I
D
= 12A
I
G
= 10mA
C
iss
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
Single pulse
D = Duty Cycle
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.2
D=0.5
相關PDF資料
PDF描述
IXTN21N100 High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK250N10 High Current MegaMOSFET
IXTK33N50 High Current MegaMOSFET
IXTK62N25 High Current MegaMOSFET
IXTM12N45 12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXTK250N10 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTK32P60P 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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