參數(shù)資料
型號： IXTH75N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： IC ARM920T MCU 200MHZ 272-TFBGA
中文描述： 75 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 111K
代理商： IXTH75N10
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXTH 67N10
IXTM 67N10
IXTH 75N10
IXTM 75N10
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
GS(th)
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
20
40
60
80
75N10
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
D
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- Amperes
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
D
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
V
GS
= 10V
V
GS
= 15V
V
GS
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
0
25
50
75
100
125
150
T
J
= 125
°
C
V
DS
- Volts
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
I
D
0
50
100
150
200
8V
5V
V
GS
= 10V
9V
7V
6V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 37.5A
67N10
BV
DSS
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTN36N50 N-Channel Enhancement Mode
IXTP01N100D High Voltage MOSFET
IXTP05N100 High Voltage MOSFET
IXTP10N60PM PolarHV Power MOSFET
IXTP2N60P PolarHV Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH75N10 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXTH75N10L2 功能描述:MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH75N15 功能描述:MOSFET 75 Amps 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH76N25T 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH76P10T 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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