| 型號: | IXTH68N20 | 
| 廠商: | IXYS CORP | 
| 元件分類: | JFETs | 
| 英文描述: | High Current MegaMOSFET | 
| 中文描述: | 68 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | 
| 文件頁數(shù): | 2/2頁 | 
| 文件大?。?/td> | 320K | 
| 代理商: | IXTH68N20 | 

| 相關PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| IXTK74N20 | High Current MegaMOSFET | 
| IXTH6N120 | High Voltage Power MOSFET | 
| IXTT6N120 | High Voltage Power MOSFET | 
| IXTH6N90 | Standard Power MOSFET | 
| IXTH6N90A | Standard Power MOSFET | 
| 相關代理商/技術參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| IXTH68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTH6N100D2 | 功能描述:MOSFET 6Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTH6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTH6N150 | 功能描述:MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| IXTH6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |